メモリタイミングとは？
メモリタイミングとは？
メモリがデータの読み書きを行う際の各動作にかかる時間（レイテンシ）のこと。
15-15-15-36 というメモリタイミングは、tCAS, tRCD, tRP, tRAS という各動作に要する「クロック数」。
つまり高クロックなメモリは、メモリタイミングの「時間」が小さくなりデータの読み書き速度が高速。
また同じクロックのメモリでも、メモリタイミングが小さければデータの読み書き速度が高速。
以下、大まかなtCAS, tRCD, tRP, tRASについての説明です。(参考：メモリ内のアドレスは、rowアドレスとcolumnアドレスの2つで決まる。)
tCAS (= Column Address Strobe Latency)
rowアドレス(メモリの大まかな位置)がメモリコントローラによって選択されてから、結果が返ってくるまでの時間。
最も重要なメモリに関するタイムスケールである。
tRCD (= Row Address to Column Delay)
メモリコントローラにrowアドレスを送信してから、読み書きを行うデータにメモリコントローラがアクセスするまでの時間。
RAMから結果を得るには、tCAS+tRCDの時間がかかる。
tRP (= Row Precharge Time)
メモリコントローラがrowアドレスを変更する時間。
rowアドレスが異なる場合、結果が返ってくるまで tRP+tCAS+tRCD の時間がかかる。
tRAS (= Row Active Time)
メモリコントローラが、一つのrowアドレスを選択している最小時間。上3つの量の総和に等しい。
tRAS = tRP+tCAS+tRCD
参考：
調べてみたいこと：
・RAM内にデータはどのように格納されているのか？
・セキュリティの重要課題：「Row Hammer」を利用したGLitch攻撃
